檢索結果：共7筆資料 檢索策略： "電子工程系".cdept (精準) and ckeyword.raw="薄膜"
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本研究成功利用陽極層離子源之反應式離子束濺鍍沉積氧化鈷與氧化鈷銅薄膜，薄膜分別於製程溫度150℃與300℃下以不同氧氣流量比沉積於矽基板與石英基板上，實驗結果顯示，於150℃下沉積之薄膜皆屬非晶薄膜…
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本研究利用反應式離子束濺鍍法沉積氧化鈷與摻銅氧化鈷薄膜，改變氧氣/氬氧的流量比例(Opf = O2/(Ar+O2))及沉積溫度，探討製程參數對氧化鈷及摻銅氧化鈷之影響。研究結果顯示在室溫下所沉積之樣…
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摘要 本實驗使用反應式離子束濺鍍法來沉積氧化銦錫薄膜於玻璃基板上，在室溫狀態下，分別透過改變氧氣流量、陽極電壓以及基板與靶材距離，來觀察不同製程參數下薄膜特性的變化。隨著氧氣流量增加，氧氣的低濺…
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本論文主要是來探討原子層級的二硫化鉬薄膜的製備與其應用. 本論文主 要是利用化學氣相沉積法合成原子層級的二硫化鉬薄膜於基板上, 而基板則是 選用藍寶石與石英基板, 待合成完二硫化鉬薄膜後, 利用光…
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本研究利用反應式離子束濺鍍法成功地沉積了氧化鎳及氧化鎳摻銅薄膜，並且探討氧氣流量比對於氧化鎳薄膜的光電特性影響。研究結果顯示，在300C下沉積氧化鎳薄膜，當Opf = 0.5時有NiO (200)…
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隨者電子產業的進步，傳統型金氧半電晶體在微型化之後面臨一些可靠度問題，例如短通道效應、熱載子效應、閘極引起位障降低效應。穿隧型場效電晶體在高度微型化可以提供較小的短通道效應、小的熱載子效應以及降低閘…
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本研究探討以離子束濺鍍法，沉積摻鉺氧化鋅薄膜(Erbium-doped ZnO, EZO)之特性。我們以層狀方式沉積EZO薄膜，藉退火使鉺與氧化鋅混合。實驗中，成功的以325 nm之He-Cd雷射，…